晶體管-雙極-BJT-陣列-NPN-PNP-40V-60V-600mA-300MHz-200MHz-200mW額定功率200mW集電極電流Ic600mA集射極擊穿電壓Vce40V,60V晶體管類型NPN,PNP晶體管類型NPN,PNP電流 - 集電極 (Ic)(最大值)600mA電壓 - 集射極擊穿(最大值)40V,60V不同Ib、Ic 時(shí)Vce 飽和壓降(最大值)1V @ 50mA,500mA …
晶體管-雙極-BJT-陣列-NPN-PNP-40V-60V-600mA-300MHz-200MHz-200mW
額定功率 | 200mW | 集電極電流Ic | 600mA |
集射極擊穿電壓Vce | 40V,60V | 晶體管類型 | NPN,PNP |
晶體管類型 | NPN,PNP | 電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 600mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 40V,60V | 不同 Ib、Ic 時(shí) Vce 飽和壓降(最大值) | 1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 10nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
功率 - 最大值 | 200mW | 頻率 - 躍遷 | 300MHz,200MHz |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-363 |